预防方法

中国科学院大学研究生导师简介

来源:网络整理 编辑:admin 时间:2019-07-17

     

        

        

        
        

         1、报名知识2、学历3、工作经验4、教育学学指引航线5、取得专利权与促进6、公布知识7、科学想出8、合群9、率直的先生

        基本知识


曾雄辉 男 管理程序,主管 中国科学院苏州十亿分之一公尺科技与十亿分之一公尺仿生学想出生

        电子邮件: xhzeng2007@

        通信处: 江苏省苏州市苏州工业区若水道398号

        邮递区号: 215125

        想出在实地工作的

        招生知识

        招生专业080501

        雇用形势半导体已知数
教育学镶嵌2002-09-2005-0 中国科学院上海光学紧密机械想出生 已知数学博士度1999-09-2002-0 中国科学院长春敷用物质的化学组成想出生 物理物质的化学组成硕士度1995-09-1999-0 湘潭学院 物质的化学组成布道

        学历

        度
工作经验强化培训计划

        简历2007-06~迄今, 中国科学院苏州十亿分之一公尺科技与十亿分之一公尺仿生学想出生, 副想出员2005-07-2007-0,清华学院, 有机半导体博士后形势2002-09-2005-0,中国科学院上海光学紧密机械想出生, 已知数学博士度1999-09-2002-0,中国科学院长春敷用物质的化学组成想出生, 物理物质的化学组成硕士度1995-09-1999-0,湘潭学院, 物质的化学组成布道

        社会兼任
电子显微镜十亿分之一公尺已知数想出教育学学办法
取得专利权与促进

        得奖知识(1)苏州市科学论文奖,国家层次,2010

        取得专利权效果( 1 一种有机半导体白色荧光性微/十亿分之一公尺线的制剂办法,2010,第 1 作者,取得专利权号: ZL**( 2 金属有机物质的化学组成气相色谱法追溯GaN基好天气安瓿吸入剂薄膜,2010,第 1 作者,取得专利权号: **( 3 分子束内涵追溯GaN基好天气安瓿吸入剂薄膜,2012,第 1 作者,取得专利权号: ZL **
照片知识

        照片论文(1) Nanoscale Anisotropic Plastic Deformation in Single Crystal GaN, Nanoscale Research Letter, 2012, 第 5 作者(2) Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation, Applied Physics Letters, 2011, 第 5 作者(3) Growth Mechanism of Large-Size Rubrene Single Crystals Grown by a Solution Technique, Japannese Journal of Applied physics, 2010, 第 5 作者(4) Growth mechanism of large-size anthracene single crystals grown by a solution technique, Journal of Crystal Growth, 2009, 第 5 作者(5) Homoepitaxy growth of well-ordered rubrene thin films, Crystal Growth and Design, 2008, 第 1 作者

        照片工作
科学想出

        突出( 1 本变高好天气能力的微观结构调控想出, 掌管, 国家层次, 2013-01--2016-12( 2 )敷用于阴电极荧光性/电子书拐骗诱导电流受考验的多功能的战利品台锻炼及互插试验新办法想出, 掌管, 国家层次, 2013-01--2014-12

        结合相识
合群形势

        伸出俱乐部单位
率直的先生


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